Samsung ва Qualcomm ҳамкорликда янги технологиядаги Snapdragon 835 процессорини яратишди

Жанубий Кореянинг Samsung компанияси Qualcomm Technologies билан ҳамкорликда бутунлай янги технологияда ишланган Snapdragon 835 процессорини тақдим қилди. Чипсет  Samsung фирмасига қарашли 10 нанометрли FibFET технопроцесси асосида яратилган.

4PDA сайтининг ёзишича, мазкур чипсет 14 нм-ли процессорларга қараганда 27% самаралироқ ишлайди, қувват истеъмоли эса 40 фоизга камроқдир. Саноатда  Snapdragon 835 чипсетининг ишлаб чиқарилиши мобил процессорларнинг ҳажмини сезиларли даражада кичрайтирди, бу эса телефонга янада йирикроқ сиғимли батареяларни қўллаш имкониятини тақдим этади.

Ҳозирча бошқа тафсилотлари маълум қилинмаган Snapdragon 835 чипсетидан ташқари, Qualcomm тўртинчи авлоддаги Quick Charge тезкор зарядлаш технологиясини ҳам таништирди. Мазкур технология Snapdragon 835 процессори ўрнатилган қурилмаларда қўллаб-қувватланади. Ишлаб чиқарувчининг таъкидлашича, бундай технология орқали қурилмани 5 дақиқа зарядлаб, ундан беш соат давомида фойдаланиш мумкин бўлади. Quick Charge 4.0 технологияси Quick Charge 3.0 билан солиштирганда, смартфонларни 20%га тезроқ ва самаралироқ зарядлашга имконият яратади.

Snapdragon 835 процессорида ишлайдиган смартфонлар 2017 йилнинг биринчи ярмида сотувга чиқарилади.